晶体管类型 | PNP | 最低工作温度 | -65 °C |
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最大功率耗散 | 2000 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
最大基极-发射极饱和电压 | 1.05 V | 最大直流集电极电流 | 4.1 A |
最大集电极-发射极电压 | 100 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.325 V |
最大集电极-基极电压 | 100 V | 最小直流电流增益 | 25 V |
最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 100 MHz |
每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极小信号 |
配置 | 单双集电极 | 长度 | 6.7mm |
高度 | 1.7mm |
【NXP Semiconductors】PBSS306PZ /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS306PZ,135,TRANS PNP 100V 4.1A SOT-223
【NXP Semiconductors】PBSS3515E,115,TRANS PNP 15V 500MA SOT416
【NXP Semiconductors】PBSS3515M T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS3515M,315,TRANS PNP 15V 500MA SOT883