晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -65 °C |
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最大功率耗散 | 1200 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | 最大直流集电极电流 | 1 A |
最大集电极-发射极电压 | 40 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.44 V |
最大集电极-基极电压 | 40 V | 最小直流电流增益 | 75 V |
最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 150 MHz |
每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极功率 |
配置 | 单四集电极 | 长度 | 1.7mm |
高度 | 0.6mm |
【NXP Semiconductors】PBSS4140V T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS4140V,115,TRANS NPN 40V 1000MA SOT666
【NXP Semiconductors】PBSS4160DPN T/R,Transistors Bipolar (BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS4160DPN,115,TRANS NPN/PNP 60V LOW SAT SC-74
【NXP Semiconductors】PBSS4160DS T/R,Transistors Bipolar (BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS4160DS,115,TRANS NPN DL 60V LOW SAT SC-74