| 晶体管类型 | NPN | 最低工作温度 | -65 °C |
|---|---|---|---|
| 最大功率耗散 | 1200 mW | 最大发射极-基极电压 | 5 V |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V | 最大直流集电极电流 | 2 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 20 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.31 V |
| 最大集电极-基极电压 | 20 V | 最小直流电流增益 | 150 V |
| 最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 100 MHz |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极功率 |
| 配置 | 单 | 长度 | 3mm |
| 高度 | 1mm |
因此，采用sot23封装的晶体管要比采用较大的sot223封装的晶体管的成本低得多。---对于传统晶体管设计，通常是所需要的集电极电流限制了裸片尺寸，从而限制了进一步小型化的努力。例如，采用传统设计，集电极电流>0.5a的晶体管无法采用sot23封装。另一方面，如果采用网状结构发射极技术，现在已经可以在sot23封装中提供集电极电流大于2a的晶体管。因此，网状发射极晶体管（sot23）可以用来代替更大的sot223封装晶体管，并且提供相当、甚至更好的特性。biss晶体管pbss4350t和pbss4320t以及中功率晶体管bdp31。 ...
