描述 | PBSS8110T/SOT23/TO-236AB | 晶体管类型 | NPN |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1 A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 100 V |
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 100mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 250mA,1V | 功率 - 最大值 | - |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
【NXP Semiconductors】PBSS8110X /T3,Transistors Bipolar (BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS TAPE-13
【NXP Semiconductors】PBSS8110X,135,TRANS NPN 100V 1A LOW SAT SOT89
【NXP Semiconductors】PBSS8110Y T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-7
【NXP Semiconductors】PBSS8110Z /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS BISS TAPE-13
【NXP Semiconductors】PBSS8510PA,115,TRANS NPN 100V 5.2A SOT1061