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PHB119NQ06T /T3

制造商：NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：55 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性关于NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)

描述	MOSFET TRENCHMOS (TM)FET	漏极连续电流	75 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0071 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 175 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-404	封装	Reel
下降时间	41 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	200 W	上升时间	52 ns
工厂包装数量	800	典型关闭延迟时间	77 ns
零件号别名	PHB119NQ06T,118

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