您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > phb193nq06t,118
  • PHB193NQ06T,118

PHB193NQ06T,118

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 55V 75A SOT404FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 25A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs85.6nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds5082pF @ 25V
功率 - 最大300W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称934058545118PHB193NQ06T /T3PHB193NQ06T /T3-ND

phb193nq06t,118的相关型号: