您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > phd3055e,118
  • PHD3055E,118

PHD3055E,118

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 10.3A SOT428FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 5.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs5.8nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 25V
功率 - 最大33W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)其它名称934054728118PHD3055E /T3PHD3055E /T3-ND

phd3055e,118的相关型号: