您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > phd36n03lt,118
  • PHD36N03LT,118

PHD36N03LT,118

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 10000$0.273
描述MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C43.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17 毫欧 @ 25A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs18.5nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds690pF @ 25V
功率 - 最大57.6W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)其它名称934057949118PHD36N03LT /T3PHD36N03LT /T3-ND

phd36n03lt,118的相关型号: