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PHKD6N02LT /T3

制造商：NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：20 V
闸/源击穿电压：+/- 12 V

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产品属性关于NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)

描述	MOSFET TAPE13 MOSFET	漏极连续电流	10.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.02 Ohms	配置	Dual Dual Drain
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8	封装	Reel
下降时间	23 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	4.17 W	上升时间	49 ns
工厂包装数量	2500	典型关闭延迟时间	50 ns
零件号别名	PHKD6N02LT,518

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