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  • PHM25NQ10T,518

PHM25NQ10T,518

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 100V 30.7A SOT685-1FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 10A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs26.6nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 20V
功率 - 最大62.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘供应商设备封装8-HVSON
包装带卷 (TR)其它名称934057309518PHM25NQ10T /T3PHM25NQ10T /T3-ND

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