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  • PMGD780SN,115

PMGD780SN,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$0.48
  • 10$0.378
  • 25$0.3188
  • 100$0.2599
  • 250$0.21528
描述MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C490mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C920 毫欧 @ 300mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs1.05nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds23pF @ 30V
功率 - 最大410mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装6-TSSOP
包装Digi-Reel?其它名称568-2369-6

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