描述 | PMV15ENE/SOT23/TO-236AB | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 20 毫欧 @ 5.8A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 14 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 440 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 700mW(Ta),8.3W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
【Panduit】PMV1-5FB-3K,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated
【Panduit】PMV1-5FB-CY,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated
【Panduit】PMV1-5RB-3K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated
【Panduit】PMV1-5RB-CY,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated
【Panduit】PMV1-5RB-XY,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated