| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 5.7A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 18.6 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1150 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 510mW（Ta），6.94W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
【NXP Semiconductors】PMV213SN,215,MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
【Panduit】PMV2-35RB-3K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
【Panduit】PMV2-3FB-3K,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1
【Panduit】PMV2-3FB-C,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 1
【Panduit】PMV2-3RB-3K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 1
