| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 55 毫欧 @ 2A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 9.4nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | TO-236AB |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | PMV60EN215-CHP |
【Panduit】PMV6-35RB-2K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-3RB-2K,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-3R-L,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-3R-X,端子 Metric Ring Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-4FB-2K,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 4
【Panduit】PMV6-4F-L,端子 Metric Fork Terminal vinyl insulated, 2
