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PMWD19UN /T3

制造商：NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：+/- 10 V

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产品属性关于NXP Semiconductors(NXP Semiconductors,NXP Semiconductors)

描述	MOSFET TAPE13 PWR-MOS	漏极连续电流	5.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.023 Ohms	配置	Dual Dual Source
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TSSOP-8	封装	Reel - 13 in
下降时间	30 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.3 W	上升时间	23 ns
工厂包装数量	2500	典型关闭延迟时间	56 ns
零件号别名	PMWD19UN,518

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