描述 | MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56 | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 85A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11.9 毫欧 @ 25A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 118 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7973 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 238W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56,Power-SO8 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
【NXP Semiconductors】PSMN012-100YS,115,MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN012-25YLC,115,MOSFET N-CH 25V 33A LL LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN012-60YS,115,MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN012-80BS,118,MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN012-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 74A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN013-100BS,118,MOSFET N CH 100V 68A D2PAK