| 描述 | PSMN012-60HL/SOT1205/LFPAK56D | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.5mOhm @ 10A，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 22.4nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2953pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 64W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56D |
【NXP Semiconductors】PSMN012-60YS,115,MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN012-80BS,118,MOSFET N-CH 80V 74A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN012-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 74A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN013-100BS,118,MOSFET N CH 100V 68A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN013-100ES,127,MOSFET N-CH 100V I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN013-100PS,127,MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
【NXP Semiconductors】PSMN013-100XS,127,MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F