描述 | MOSFET N-CH 100V I2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 100V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 68A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13.9 毫欧 @ 15A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 59nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3195pF @ 50V |
功率 - 最大 | 170W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 | 其它名称 | 568-7510-5PSMN013-100ES,127-ND |
【NXP Semiconductors】PSMN013-100PS,127,MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
【NXP Semiconductors】PSMN013-100XS,127,MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
【NXP Semiconductors】PSMN013-30LL,115,MOSFET N-CH 30V QFN3333
【NXP Semiconductors】PSMN013-30MLC,115,MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
【NXP Semiconductors】PSMN013-30YLC,115,MOSFET N-CH 30V 32A LL LFPAK