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  • PSMN023-80LS,115

PSMN023-80LS,115

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH QFN3333FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)80V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C34A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 10A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1295pF @ 40V
功率 - 最大65W安装类型表面贴装
封装/外壳8-VDFN 裸露焊盘供应商设备封装8-QFN(3.3x3.3)
包装带卷 (TR)

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