| 描述 | MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 41 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 21.9 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1108 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 64W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
【NXP Semiconductors】PSMN050-80BS,118,MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN050-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 22A TO-220AB3
【NXP Semiconductors】PSMN057-200B,118,MOSFET N-CH 200V 39A SOT404
【NXP Semiconductors】PSMN057-200P,127,MOSFET N-CH 200V 39A SOT78
【NXP Semiconductors】PSMN059-150Y,115,MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK
