| 描述 | MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 280A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 127 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8845 pF @ 20 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 198W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
【NXP Semiconductors】PSMN1R1-25YLC,115,MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN1R1-30EL,127,MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN1R1-30PL,127,MOSFET N-CH 30V 120A TO220
【NXP Semiconductors】PSMN1R1-40BS,118,MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN1R2-25YL,115,MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN1R2-25YLC,115,MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK