| 描述 | MOSFET N CH 80V 120A D2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.5 毫欧 @ 25A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 111nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 8161pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 306W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 568-9478-6 |
【NXP Semiconductors】PSMN3R3-80ES,127,MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN3R3-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 120A TO-220
【NXP Semiconductors】PSMN3R4-30BL,118,MOSFET N CH 30V 100A D2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN3R5-30LL,115,MOSFET N-CH 30V QFN3333
【NXP Semiconductors】PSMN3R5-30YL,115,MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK