| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.15V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 12V | 功率 - 最大 | 103W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB | 包装 | 管件 |
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-80ES,127,MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
【NXP Semiconductors】PSMN4R3-80PS,127,MOSFET N-CH 80V 120A TO220
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