| 描述 | MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 120 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.9 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 167 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9473 pF @ 60 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 349W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I2PAK |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
【NXP Semiconductors】PSMN8R0-30YL,115,MOSFET N-CH 30V 62A SOT669
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【NXP Semiconductors】PSMN8R2-80YS,115,MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
【NXP Semiconductors】PSMN8R3-40YS,115,MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
