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  • QS6K21TR

QS6K21TR

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.212
  • 6000$0.199
  • 12000$0.185
  • 27000$0.175
  • 51000$0.171
描述MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)45V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大-
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装TSMT6包装带卷 (TR)
其它名称QS6K21TRTR

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