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  • RDD020N60TL

RDD020N60TL

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.546
描述MOSFET N-CH 600V 2A CPT3FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-Id 时的 Vgs(th)(最大)-
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大20W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装CPT3
包装带卷 (TR)

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