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RF1S640SM

描述MOSFET N-Ch Power MOSFET 200V/18a/0.180 Ohm电阻汲极/源极 RDS(导通)0.18 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-263AB
封装Tube下降时间35 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散125 W
上升时间50 ns典型关闭延迟时间46 ns

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