描述 | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 63 毫欧 @ 18A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 485pF @ 25V |
功率 - 最大 | 49W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】RFD12N06RLESM9A,MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05_Q,MOSFET TO-251AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05L,MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05L_Q,MOSFET TO-251AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05LSM,MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05LSM_Q,MOSFET TO-252AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD14N05LSM9A,MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA