描述 | MOSFET N-Ch Power MOSFET | 漏极连续电流 | 11 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.107 Ohms | 配置 | Single |
最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | IPAK | 封装 | Tube |
下降时间 | 39 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 38 W | 上升时间 | 105 ns |
工厂包装数量 | 75 | 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM,MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM_Q,MOSFET TO-252AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM9A,MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】RFD3055SM_Q,MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm
【Fairchild Semiconductor】RFD3055SM9A,MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
【Fairchild Semiconductor】RFD4N06LSM9A,MOSFET N-CH 60V 4A DPAK