描述 | MOSF N CH 30V 18A PSOP8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 5.6 毫欧 @ 18A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1250pF @ 15V |
功率 - 最大 | 3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 | 供应商设备封装 | 8-PSOP |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | RMW180N03TBTR |