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RRQ030P03TR

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.1829
  • 6000$0.1711
  • 15000$0.1593
  • 30000$0.15045
  • 75000$0.1475
描述MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs5.2nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds480pF @ 10V
功率 - 最大1.25W安装类型表面贴装
封装/外壳6-SMD供应商设备封装TSMT6
包装带卷 (TR)

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