描述 | MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6 | FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 2.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4.4nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 320pF @ 10V | 功率 - 最大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商设备封装 | TSMT6 | 包装 | 带卷 (TR) |