| 描述 | MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 105 毫欧 @ 2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | TUMT3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
