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  • S2M0040120D

S2M0040120D

  • 制造商:-
  • 现有数量:247现货
  • 价格:1 : ¥195.01000管件
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200VFET 类型N 通道
技术SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss)1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-Vgs(最大值)-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-FET 功能-
功率耗散(最大值)-工作温度-
安装类型通孔供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

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