| 描述 | SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiCFET（碳化硅） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 95A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 50A，18V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 162 nC @ 18 V | Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3315 pF @ 520 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 360W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | H2PAK-7 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
【SIGNAL TRANSFORMER】SCTH2010-100,INDUCTOR SMD 10UH 0.38A 100KHZ
【SIGNAL TRANSFORMER】SCTH2010-150,INDUCTOR SMD 15UH 0.30A 100KHZ
【SIGNAL TRANSFORMER】SCTH2010-1R0,INDUCTOR SMD 1.0UH 1.14A 100KHZ
【SIGNAL TRANSFORMER】SCTH2010-1R5,INDUCTOR SMD 1.5UH 0.95A 100KHZ
【SIGNAL TRANSFORMER】SCTH2010-220,INDUCTOR SMD 22UH 0.24A 100KHZ
【SIGNAL TRANSFORMER】SCTH2010-2R2,INDUCTOR SMD 2.2UH 0.80A 100KHZ
【SIGNAL TRANSFORMER】SCTH2010-2R7,INDUCTOR SMD 2.7UH 0.72A 100KHZ
【SIGNAL TRANSFORMER】SCTH2010-3R3,INDUCTOR SMD 3.3UH 0.68A 100KHZ