| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 30 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 520pF @ 10V | 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-SMD，鸥翼型 |
| 供应商设备封装 | 8-SOP（5.0x6.0） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SH8K2TB1TR |
