| 描述 | MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC | 系列 | - |
|---|---|---|---|
| FET 型 | N 和 P 沟道 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A，7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 18 毫欧 @ 9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SH8M4TB1TRSP8M4TBSP8M4TBTRSP8M4TBTR-ND |
