| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F | FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 190mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 23pF @ 25V | 功率 - 最大 | 250mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SC-89-6 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI1025X-T1-E3TR |
