描述 | MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 305mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.4 欧姆 @ 500mA,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 250mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商设备封装 | SC-89-6 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI1026X-T1-GE3TR |