描述 | MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 2.2A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 950mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商设备封装 | SC-70-6 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI1433DH-T1-E3TR |