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  • SI1473DH-T1-GE3

SI1473DH-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:2.8 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥4.76
  • 25¥3.66
  • 100¥3.24
  • 250¥2.76
  • 500¥2.35
产品属性
描述MOSFET 30V 2.7A P-CH MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.1 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-363-6
封装Reel正向跨导 gFS(最大值/最小值)6 S
栅极电荷 Qg4.1 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散1.5 W零件号别名SI1473DH-GE3

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