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  • SI1499DH-T1-E3

SI1499DH-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI1499DH
  • 特色产品:MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$0.75
  • 25$0.578
  • 100$0.51
  • 250$0.442
  • 500$0.374
产品属性
描述MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6系列TrenchFET?
FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C78 毫欧 @ 2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 4V
功率 - 最大2.78W安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SC-70-6
包装Digi-Reel?其它名称SI1499DH-T1-E3DKR

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