您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si1501dl-t1

SI1501DL-T1

制造商：-
晶体管极性：N and P-Channel
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
闸/源击穿电压：+/- 8 V
漏极连续电流：0.25 A, 0.18 A

发布求购更多供应商

产品属性

描述	MOSFET 20 0.25/0.18	电阻汲极/源极 RDS（导通）	2 Ohms, 3.8 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOT-363-6
封装	Reel	下降时间	25 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	200 mW
上升时间	25 ns	工厂包装数量	3000
典型关闭延迟时间	19 ns

si1501dl-t1的相关型号：