| 描述 | MOSFET 20V 1.28/1.0A 0.48W | 漏极连续电流 | 1.13 A, 0.88 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.28 Ohms, 0.49 Ohms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-363-6 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 570 mW | 上升时间 | 22 ns at N Channel, 25 ns at P Channel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 商标名 | TrenchFET |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns at N Channel, 15 ns at P Channel |
