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  • SI1958DH-T1-E3

SI1958DH-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI1958DH
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.1953
  • 6000$0.1827
  • 15000$0.1701
  • 30000$0.16065
  • 75000$0.1575
产品属性
描述MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C205 毫欧 @ 1.3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.6V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs3.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds105pF @ 10V功率 - 最大740mW
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SC-70-6包装带卷 (TR)
其它名称SI1958DH-T1-E3TR

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