| 描述 | MOSFET N-CH 20V SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 850mV @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 710mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | SI2302CDS-T1-E3-NDSI2302CDS-T1-E3TR |
