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  • SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

  • 制造商:-
  • 数据列表:SI2304BDS
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.099
  • 6000$0.0935
  • 15000$0.08525
  • 30000$0.07975
  • 75000$0.0715
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds225pF @ 15V功率 - 最大750mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)包装带卷 (TR)
其它名称SI2304BDS-T1-E3TR

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