您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > si2308ds-t1

SI2308DS-T1

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET 60V 2.0A 1.25	漏极连续电流	2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.16 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3	封装	Reel
下降时间	10 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.25 W	上升时间	10 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	17 ns

si2308ds-t1的相关型号：