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SI2309DS-T1-GE3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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产品属性

描述	MOSFET 60V 1.25A 1.25W 340mohm @ 10V	漏极连续电流	1.25 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.34 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-236-3	封装	Reel
栅极电荷 Qg	5.4 nC	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1.25 W	工厂包装数量	3000
零件号别名	SI2309DS-GE3

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