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  • SI2311DS-T1-GE3

SI2311DS-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET P-CH 8V 3A SOT23FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 3.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds970pF @ 4V
功率 - 最大710mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3
包装带卷 (TR)

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